什么是二级电子发射？
当一束高速电子或其他类似颗粒在金属表面上撞击时，移动颗粒的动能的一部分被转移到金属体表面上的自由电子。该现象引起了金属体表面的电子发射。借助于高速电子或金属表面上的其他类似颗粒的轰击的电子发射过程称为二次电子发射。
实际上，在任何金属体的表面上存在潜在的屏障，因为该屏障由于该金属机构的表面不能在正常情况下从金属表面逸出。在金属体的表面上产生的潜在屏障，以防止在金属体内部逸出任何可自由移动的电子的较长的表面屏障。虽然甚至在室温下也有规划金属和身体内的自由电子。
这些自由电子在金属系统内自由移动。它们以随机方式从原子转移到原子，但由于表面电位屏障，它们均未在正常情况下从金属体上出来。实际上，由于存在阳性核的存在，金属晶体内的电子阱从所有侧面吸引。
但是当一个自由的电子来到金属的极端边缘时，在它之前没有任何正核，将其向外拉出，但在那瞬间，它将存在大量的正核，将自由电子向内拉入金属晶体。金属表面上电子上的向后或向内吸引静电力为该自由电子产生了潜在的屏障。
但是，当金属体表面处的自由电子获得足够的动能时，它可以克服潜在的屏障（表面屏障）并在主体或发射器的前面发射。
如我们已经解释的那样，可以通过在金属体的表面上轰击高速电子或类似颗粒来产生电子的发射。在这种情况下，轰击电子或类似颗粒的动能部分或完全被转移到金属体的表面上的自由电子。结果，自由电子获得足够的动能以克服金属的表面屏障，并且可以从金属发射自由电子。
我们已经被告知的整个过程被称为二次电子发射。这是秒欧洲电子发射，因为这里的电子因其上另一电子轰击而发出。击中金属表面上的电子称为初级电子，并且从金属表面发射的初级电子称为二次电子。
二次触电发射的强度主要取决于两个因素，
- 由金属发射器制成的材料。
- 高速粒子的动量在发射极表面上施用。
在这里，我们试图绘制二次电子发射的概念图。
这里S是初级电子的来源，E是发射器或阴极，a是集电极或阳极。A和E在电池（B）上连接以使A相对于E的正电位。在A和E之间的外部电路中，我们连接一个敏感的电流计（G）以测量发射电流。这里，当来自阴极E的表面上的源S击球的主电子时，二次电子被发射并朝向正电极或阳极A吸引。
二次电子发射是许多真空管装置的操作期间不希望的自然现象，例如在操作期间Klystron管。作为另一个例子，Tetrode值对于该二次电子发射现象产生负电阻。在某些情况下，我们有意地使用二次电子发射过程，例如电子乘法器，阴极射线管等。
