03․一可控硅被认为是半控制装置,因为
04․单一相一个脉冲控制电路电阻R和反电动势E负载400罪(314 t)作为源电压。对于200v的负载计数器电动势,射角控制范围为
因此,控制范围是θ到(π-θ),即30°到150°。
05․单相全桥逆变器可以运行在负载整流模式情况下负载组成
在这种情况下,读取电流将在电路中流动,它将变成零晶闸管将负载换向。
对于升压式斩波器,E0= E直流/(1 -α),E0=输出电压和E直流在α=占空比的条件下,α= 1-(110/150)根= 0.26。重新检查
07年․声明适用于闭锁电流?
锁存电流是打开可控硅所需的最小阳极电流。
08年․如果保持电流晶闸管是2毫安那么锁存电流应该是
一般闭锁电流为保持电流的2 ~ 3倍。
09年․晶闸管的反向阻断模式
在反向阻塞模式J1和J2反向偏误和J2是远期偏见。
10․向前晶闸管的阻塞模式
在正向阻塞模式中,节点J2而J1和J3.按照远期偏见行事。
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