结场效应晶体管是场效应晶体管系列中的半导体器件。场效应晶体管是由施加在装置的结合的电场操作的晶体管的类型。主要有两种类型的场效应晶体管。结场效果晶体管或JFET和金属氧化物半导体场效应晶体管或MOSFET。我们将在本文中讨论有关接合场效果晶体管。
JFET是一个电压控制装置，而BJT是一个电流控制装置。由于多数载体的流动，通过多数载波的流动引起了电流，而在BJT电流中是由于多数和少数载体。由于只有多数载波参与JFET中当前的创造，因此它是一个单极设备。JFET的输入阻抗非常高。
JFET的类型
JFET是两种类型 - N个通道JFET和P通道JFET。
n频道JFET.
N通道JFET由SI或GaAs栏制成。棒掺杂有n型杂质。一个金属端子附接到杆的两端中的每一个。其中一个终端称为漏极终端，另一个端子称为源终端。杆的两侧高度掺杂p型杂质。掺杂有p型杂质的区域称为栅极区域。金属端子连接到栅极区域，并且终端称为栅极端子。
P频道JFET.
类似地，P通道JFET由掺杂有p型杂质的Si或GaAs棒制成。棒的侧面高度掺杂N型杂质。这里也是漏极，并且源端子连接到杆的两端。附接到侧n型区域的端子是栅极端子。
NB： -这里的两种类型的结场效应晶体管都可以是漏极和源极端子的可互换。
如果在漏极和源极端子之间施加电压，则电流开始流过设备。两个相对掺杂区域之间的空间被称为装置的通道。由于多数载流子的漂移而流过通道的电流。多数载波通过终端进入通道被称为源终端，多数载波离开信道的终端称为漏极终端。
在正常操作状态下，施加N通道JFET的漏极端电位，并且P通道JFET的漏极端子施加负电位。栅极电压保持在JFET中，使得栅极区域和通道之间的PN结处于反向偏置条件。该PN结的耗尽层的宽度可以通过变化的栅极电压来改变。通道的开口取决于耗尽层的宽度。
如果通过改变栅极端电压，耗尽层的宽度增加，它延伸到通道中并减少通道的开口，因此通过通道的电流降低。因此，我们可以得出结论，通过控制栅极电压，我们可以控制漏极电流。根据JFET的典型属性，我们可以使用此JFET进行许多不同的电子应用。JFET可用作开关，作为放大器等。
JFET的属性
- 这是一个电压控制装置，因为通过通道的电流被栅极电压控制。换句话说，跨越结的电场影响了晶体管的操作，这就是它被命名为结场效应晶体管的原因。
- 如在正常操作条件下，输入栅极区域和信道之间的结保持偏置偏置，晶体管的输入阻抗高。
- 理想情况下，JFET中没有栅极电流。
- 多数载体仅贡献通过设备中的通道的电流，即N个通道中的空闲电子和P信道中的孔，并且这些是晶体管称为单极设备的原因。
