MOS是金属氧化物半导体的首字母缩写。一个MOS电容器是由半导体本体或衬底、绝缘体和称为栅极的金属电极。实际上，该金属是一个重掺杂的n+多晶硅层，表现为一个金属层。的介电材料之间使用电容器板是二氧化硅(SiO2)。金属充当电容器的一个极板，半导体层充当另一个极板，半导体层可以是n型或p型。
的电容MOS电容的大小取决于电压适用于门端子。通常在施加栅电压时，阀体是接地的。
平带电压是与MOS电容器有关的一个重要术语。它被定义为在电容器板上不带电的电压，因此在氧化物上没有静电场。施加的正栅极电压大于平带电压(Vgb> V神奇动物)然后在金属(多晶硅)栅极上诱导正电荷，而在半导体器件上诱导负电荷。唯一带负电荷的电子以负电荷的形式存在，它们在表面积聚。这就是所谓的表面堆积。
如果应用的栅极电压低于平带电压(Vgb< V神奇动物)然后在多晶硅栅与半导体中的氧化物和正电荷之间的界面处感应出负电荷。
这只能通过将带负电荷的电子推离表面，暴露出来自给体的固定正电荷。这就是所谓的地表耗竭。
的MOS电容器本身并不是一个广泛使用的设备。然而，它是MOS晶体管的一部分，MOS晶体管是迄今为止应用最广泛的半导体器件。
n型体MOS电容器的典型容压特性如下:
电容-栅极电压(CV)图MOS电容器。平带电压(V神奇动物)将聚集区与耗竭区分开。阈值电压(Vth)将枯竭区与反演区分开。
