场效应晶体管代表m等等O.希德S.emiradion.F我E.这个效果T.ransistor。MOSFET是电容器操作的晶体管装置。电容器扮演操作A的基本作用场效应晶体管。我们也称这个装置为绝缘栅场效应晶体管(IGFET.)或金属绝缘体场效应晶体管(MIFET）。为什么我们打电话，所以当我们研究这个晶体管装置的结构特征时，我们会理解。我们必须看看MOSFET的建设MOSFET的工作原理。就构造而言，我们可以将该装置分为四种类型。
- P - 通道增强MOSFET
- n - 通道增强MOSFET
- P - 通道耗尽MOSFET
- N - 通道耗尽MOSFET
P - 通道增强MOSFET
我们也称之为P沟道MOSFET.作为PMOS.。这里，一个轻掺杂的n型半导体衬底构成了器件的主体。为此，我们通常使用硅或砷化镓半导体材料。在体中有两个重掺杂的p型区域，它们之间相隔一定的距离L，我们称这个距离L频道长度并且它是1μm的顺序。
现在有一层薄的二氧化硅（SiO2)在基板的顶部。我们也可以用Al2O.3.除了SiO2是最常见的。基板上的该层表现为电介质。在这个SiO的顶部有一块铝板2介电层。
现在铝板，电介质和半导体衬底在装置上形成电容器。
连接到两个p型区域的端子分别是器件的源极(S)和漏极(D)。从电容器的铝板投影的终端是器件的门(G)。我们还将mosfet的源和体连接到地，以方便根据mosfet运行期间的要求提供和撤回自由电子。
现在让我们在栅极(G)上施加一个负电压。这将在电容器的铝板上产生负静态电位。由于电容作用，正电荷在电介质层下面积累。
基本上，N型衬底的该部分的自由电子由于负栅极板的排斥而被移开，因此在此出现未覆盖的正离子层。现在，如果我们进一步增加栅极端子处的负电压，在特定电压称为阈值电压之后，由于静电力，在SIO下方的晶体的共价键2层开始打破。因此，电子-空穴对在那里产生。由于栅极的负性，空穴被吸引，自由电子被排斥。这样，孔洞的浓度就会增加，并形成从源到漏的孔洞通道。在p型源区和漏极区也有大量掺杂的洞。由于该通道中孔洞的集中，该通道在本质上成为导电的，电流可以通过。
现在让我们在漏极端子处施加负电压。漏极区域中的负电压降低了栅极和漏极之间的电压差，结果减小，结果，导电通道的宽度降低到漏极区域，如下所示。同时，电流从源流到箭头所示的漏极。
MOSFET中创建的频道提供对来自源电流的电流耗尽。该电阻通道取决于通道的横截面，并且通道的横截面再次取决于所施加的负栅极电压。因此，我们可以通过施加的栅极电压的帮助控制来自源的电流以耗尽，因此MOSFET是电压控制的电子设备。由于孔的浓度形成通道，并且由于负栅极电压的增加，通过通道的电流得到增强，我们将MOSFET命名为P - 通道增强MOSFET。
n - 通道增强MOSFET
N通道增强型MOSFET的工作原理与P通道增强型MOSFET相似，但两者在操作和结构上有所不同。在N通道增强型MOSFET中，一个轻掺杂的p型衬底形成器件的主体，源极和漏极区被严重掺杂N型杂质。在这里，我们也连接身体和电源一般地电位。现在，我们给栅极终端施加一个正电压。由于栅极的正电性和相应的电容效应，自由电子即p型衬底的少数载流子被吸引到栅极，并通过将这些自由电子与空穴重新组合，在介电层下面形成一层未覆盖的负离子。如果我们不断增加门极正电压，在阈值电压水平之后，重组过程达到饱和，自由电子开始在该位置聚集，形成自由电子的导电通道。自由电子也来自于重掺杂的源极和漏极的n型区。现在如果我们在漏极处加一个正电压，电流就开始流过通道。通道的电阻取决于通道中自由电子的数量，而通道中自由电子的数量又取决于器件的门极电位。由于自由电子的浓度形成了通道，并且通过通道的电流由于栅极电压的增加而增强，所以我们称其为N通道增强型MOSFET。
N - 通道耗尽MOSFET
该耗竭型MOSFET的工作原理与增强MOSFET有点不同。N - 通道耗尽MOSFET基板（主体）是P型半导体。源极和漏极区域是重掺杂的n型半导体。源区和漏区之间的空间由N型杂质扩散。现在，如果我们在源极和漏极之间施加电位差，则电流开始流过基板的整个N区域。
现在，让我们在门极端施加一个负电压。由于电容效应，自由电子在SiO下方的n区域被撤销并向下移动2介电层。结果，在SIO下将存在阳性未覆盖的离子层2介电层。这样，通道中就会发生载流子的耗竭，从而使通道的总电导率降低。在这种情况下，在漏极施加相同的电压时，漏极电流减小。这里我们看到我们可以通过改变沟道载流子的耗竭来控制漏极电流，因此我们称之为耗竭型MOSFET。这里，漏极电位为正，门极电位为负，源极电位为零。因此漏极到栅极之间的电压差大于源极到栅极之间的电压差，因此耗尽层的宽度更靠近漏极而不是源极。
P - 通道耗尽MOSFET
CoTRuceWiene A P沟道耗尽MOSFET与N通道耗尽MOSFET相反。这里，预设通道由掺杂P型源极和漏区之间的p型杂质制成。当我们在栅极端子处施加正电压时，由于静电动作，少数载体I.E.P型区域的自由电子被吸引并在那里形成静态负杂质离子。因此，在通道中形成耗尽区域，因此，通道的电导率降低。以这种方式，通过在栅极下施加正电压，我们可以控制漏极电流。
