市场上有不同类型的晶体管，但为了便于理解，我们将考虑共有的发射极模式NPN型晶体管。为此，让我们回顾一下npn双极结型晶体管的基本结构特征。它的发射区是重掺杂和更宽的，因此这里的自由电子(大多数载流子)的数量很大。
集电极区域也更宽，但掺杂程度适中，因此自由电子数不如发射极区域多。基极区扩散在较宽的发射极和集电极区之间，但是基极区相对于外发射极和集电极区非常薄，而且它的掺杂非常轻，所以这里的空穴(大部分载流子)非常小。
现在，我们在发射器和集电极之间连接一个电池。晶体管的发射极连接到电池的负极。因此发射极-基极结变成正向偏置，基极-集电极结变成反向偏置。
在这种情况下，没有电流流过设备。在开始器件的实际操作之前，让我们回顾一下NPN晶体管的结构和掺杂细节。这里的发射极区域较宽并且掺杂非常严重。因此，大多数载流子(自由电子)的浓度在晶体管的这个区域是非常高的。
另一方面，基极区域非常薄，在几微米的范围内，而发射器和集电极区域在毫米的范围内。由于中间p型层的掺杂非常低，因此该区域存在非常微小的空穴。集电极区域更宽，正如我们已经说过的，掺杂是适度的，因此在这个区域存在适度数量的自由电子。
施加在发射极和集电极之间的整个电压在两处下降。一个是通过发射极-基极结的正向势垒，这大约是0。7伏，在硅制晶体管的情况下。施加电压的其余部分作为基极-集电极结的反向势垒下降。
无论器件上的电压是多少，发射极-基极结上的正向势垒始终保持在0.7伏特，其余的源极电压作为反向势垒通过基极-集电极结下降。
这意味着没有一个集电极电压可以克服正向势垒。因此，理想情况下，发射极区没有一个自由电子能够越过正向势垒，到达基极区。因此，晶体管的性能就像一个关断开关。
注:-在这种情况下，晶体管不传导任何电流，理想情况下，在外部电阻处没有压降，因此整个源电压(V)将在结处下降，如图所示。
现在让我们看看如果我们在器件的基极加一个正电压会发生什么。在这种情况下,基极发射极结被单独正向电压,当然,它可以克服势垒,因此大多数航空公司,也就是说,自由电子在发射器将十字架基地区域的结,他们很少数量的重组一个洞。
但由于结处的电场作用，从发射极区迁移的自由电子获得了动能。基极区是如此之薄，以致于来自发射极的自由电子没有足够的时间来重组，从而穿过反向偏置耗尽区，最终到达集电极区。由于基极-集电极结存在一个反向的势垒，它不会阻碍自由电子从基极流向集电极，因为基极区域的自由电子是少数载流子。
通过这种方式，电子从发射极流向集电极，因此集电极到发射极电流开始流动。由于基极区出现的空穴很少，一些来自发射极区的电子将与这些空穴复合并产生基极电流。基极电流比集电极到发射极的电流要小得多。
当从发射极迁移的部分电子产生基极电流时，其余的大部分电子通过集电极产生电流。通过发射极的电流叫发射极电流，通过集电极的电流叫集电极电流，流过基极的电流叫基极电流。因此在这里发射极电流是基极电流和集电极电流的总和。
现在让我们增加施加的基极电压。在这种情况下，由于发射极-基极结正电压的增加，更多的自由电子将从发射极区到基极区，具有更多的动能。这导致集电极电流成比例地增加。这样，通过控制一个小的基极信号，我们就可以控制一个相当大的集电极信号。这就是晶体管的基本工作原理。
