晶体管中的电流组件|mabetx官网电气4U.

传导当前的在NPN晶体管由于电子和PNP晶体管，它是由于孔。电流的方向将相反。在这里，我们可以使用公共基础配置讨论PNP晶体管中的当前组件。发射极限结（J_E.）正向偏置和集电极基结（J_C）逆转偏置，如图所示。所有与此相关的组件晶体管这里显示。

我们知道，电流通过发射器到达晶体管，并且该电流称为发射极电流（i_E.）。该目前由两个成分组成 -孔电流（一世_他）和电子电流（一世_EE.）。一世_EE.是由于电子从基地到发射器和i_他是由于从发射器到基地的孔的通过。

通常，与工业晶体管的基部相比，发射器严重掺杂。因此，与孔电流相比，电子电流可忽略不计。因此，我们可以得出结论，该晶体管中的整个发射极电流是由于孔从发射器通向底座的通过。

一些穿过结j的孔_E.（发射极结）与碱中存在的电子组合（n型）。因此，每个孔横穿j_E.不会到达j_C。剩余的孔将到达产生孔电流元件的集电极连接，I_HC.。底座上会有批量重组，并将当前离开底座

底座中的电子通过与孔的重组丢失（注入跨j_E.）通过进入基地区域的电子重新填充。到达收集器结的孔（J_C）将交叉点交叉，它将进入收集器区域。

当发射器电路打开时，然后我_E.= 0和我_HC.= 0。在这种情况下，基础和收集器将作为反向偏置二极管执行。这里，收集器电流，i_C将与反向饱和电流相同（i_CO.或者我_CBO.）。
一世_CO.实际上是一种小的反向电流，通过了PN结二极管。这是由于热产生的少数载体，其被屏障潜力推动。这种反向电流增加;如果连接点反向偏置并且它将具有与集电极电流相同的方向。该电流达到饱和值（i_0.）在适度的反向偏置电压下。

当发射器结处于向前偏置（在有源操作区域）时，收集器电流将变为

α是具有I的发射极电流的一部分的大信号电流增益。_HC.。
当发射器处于关闭状态时，我_E.≠0和收集器电流将是

在PNP晶体管中，反向饱和电流（I_CBO.）将包括由于从基部到收集器区域的集电器结的孔（i）_HCO）和由于所通过的电子呈相反方向（I）的电子电流（i_生态）。

进入的总电流晶体管将等于离开晶体管的总电流（根据Kirchhoff的现行法律）。