结田效应晶体管的特点|mabetx官网电气4U.

有两种类型的结场效果晶体管。
n频道JFET.
P频道JFET.
为了更好地理解，让我们分别讨论n沟道和p沟道晶体管的特性。

N通道JFET的特性

我们知道在n通道JFET中存在一个n型半导体材料通道。n通道JFET的栅区是一个高掺杂的p型区域。电压通过通道施加，即在漏极和源极之间。首先，我们绘制出不同漏极源极电压下漏极源极电流的值。在第一种情况下，我们通常会将栅极端子与源端短路并接地。现在我们将缓慢增加漏极电路电压V_DD从0。
当通道具有电阻时，排水管源电流或简单地说出漏极电流随线增加。但这种阻力在特征的那个地区并不完全恒定。当N个通道的电压相对于零电位栅极区域是阳性的，栅极到通道PN结的栅极将处于反向偏置状态。结果，沿着结沿偏向偏置偏差层。该耗尽层的典型性是它对漏极端子具有更多的宽度。由于沿着通道的电压分布，接线部分的部分更靠近排出的压力更多。随着漏极电压的增加，朝向漏极端子的耗尽层比朝向源极端末端的速度更厚。随着耗尽层的宽度增加并且因此信道开度降低，通道的电阻增加。电阻的升高在较高的漏极电位下更突出，因此沿漏极电流汲取的特征曲线沿沿漏极到源极电压轴沿水平轴装置逐渐对准。

在一定的排水电压之后，倒掉朝向漏极端子彼此接触。此时，曲线非常近水平。在该漏极电压下，耗尽层不完全触摸阻挡通道，而是在层之间存在窄开口，漏极电流继续流动。如果我们进一步增加漏极电压，则耗尽层将尝试进一步增加其厚度，而是不能彼此接触，而是朝向源极端的耗尽层越封闭并增加窄通道开口的有效长度。这种现象称为信道调制。由于这种现象，通道的有效电阻增加了，并且增量几乎与漏极电压的增量成比例。结果，漏极电流变为几乎恒定。排出源电压曲线的漏极电流得到其水平部分。漏极电流变为几乎恒定的电压被称为夹紧电压。当Get终端处于接地电位时，挤压电压的漏极电流在接地电位时表示为i_DSS,被称为短路栅极排水电流。现在，如果我们继续在漏极源电压的一定值后增加漏极电压，耗尽层会破碎，漏极电流突然升高。该特征的该区域称为击穿区域。当漏极电流随着漏极的增加而增加时，曲线的部分被称为线性区域或欧姆区域，并且当漏极电流保持几乎恒定时，曲线的部分被称为恒流或有源区域。

现在我们将从接地源端打开栅极端子，并在栅极端子施加一定的负电压。在这种情况下，栅区和沟道之间的结得到更快的反向偏置，从而使漏极到源极电压相同的漏极电流变低。当栅极电压为负时，整个漏极电流和漏极到源极电压的曲线都被移到零栅极电压曲线之下。如果我们在栅极端施加更多的负电压，曲线将向下移动更多，如下图所示，n通道JFET的特性

N通道JFET的传输特性

通过在夹紧截止电压下保持漏极到源电压来在栅极电压和漏电流之间绘制传递特性。当栅极处于零电位时，流过晶体管的最大漏极电流短路栅极漏极电流（I_DSS）。现在，由于栅极的负电位增加，相应的漏极电流降低。在某个负栅极电压之后，漏极电流变为零。该负栅极端子电压在该负栅极端子电压为施加的漏极电压为零，施加的漏极电压与夹紧电压相同的源极电压被称为栅极截止电压V_{gs（关闭）}。

P通道JFET的特性

在p通道JFET中，我们在漏极端施加负电位。如果我们使源极和栅极端都接地，并使漏极的负电位从零增加，我们将得到与n通道JFET相同的曲线。在这一开始，漏极电流由源极向漏极流动，由于空穴在同一方向上的漂移，随着负漏极电压的增加而线性增加。由于沟道的负电位更接近漏极端，因此更接近漏极的结的反向偏置也更多。这将导致排水孔末端的耗尽层变厚。因此，就像前面的情况，夹断发生后，一定的负漏极电压，曲线变得水平。如果我们继续增加负漏极电压，当负漏极电压达到一定值后，耗尽层会发生雪崩击穿，通道不再受到任何进一步的阻碍，漏极电流会突然上升到一个更高的值。因此，曲线在开始时会有一个线性区域，在中间会有一个活跃区域，在结束时会有一个击穿区域。现在如果我们在栅极端施加正电压，结的反向偏置变得更快，因此，特性曲线向下移动，如下图所示。