可控硅或可控硅的栅极特性gydF4y2Ba

可控硅或可控硅的栅极特性gydF4y2Ba简要介绍了如何在应用门的安全区域内进行操作gydF4y2Ba电压gydF4y2Ba和gydF4y2Ba当前的gydF4y2Ba。这是一个非常重要的特征gydF4y2Ba晶闸管gydF4y2Ba。在制造时，每个可控硅或晶闸管都指定了最大栅电压限制(VgydF4y2Ba_{g-maxgydF4y2Ba}，门极电流限制(IgydF4y2Ba_{g-maxgydF4y2Ba})和最大平均栅极功率耗散极限(PgydF4y2Ba_gavgydF4y2Ba)。为了保护可控硅免受损坏，这些限制不应超过，而且还有一个指定的最小电压(VgydF4y2Ba_{g-mingydF4y2Ba})和最小电流(IgydF4y2Ba_{g-mingydF4y2Ba})用于晶闸管的正常工作。gydF4y2Ba

门的非触发电压(VgydF4y2Ba_nggydF4y2Ba)在设备制造时也被提及。gydF4y2Ba

所有噪声和不需要的信号都应该在这个电压下，以避免晶闸管不必要的开断。gydF4y2Ba

曲线1表示打开可控硅所需的最低电压值，曲线2表示可控硅的最高电压值gydF4y2Ba电压gydF4y2Ba可以安全地使用。所以从图中可以看出，SCR的安全操作区域为bcdefghb。gydF4y2Ba
现在，从触发电路中，我们得到，gydF4y2Ba

在那里,gydF4y2Ba
EgydF4y2Ba_{年代gydF4y2Ba}栅源电压gydF4y2Ba
VgydF4y2Ba_ggydF4y2Ba栅极阴极电压gydF4y2Ba
我gydF4y2Ba_ggydF4y2Ba=门当前gydF4y2Ba
RgydF4y2Ba_{年代gydF4y2Ba}栅源电阻gydF4y2Ba

门源电压的负载线画成AD，其中OA = EgydF4y2Ba_{年代gydF4y2Ba}OD = EgydF4y2Ba_{年代gydF4y2Ba}/ RgydF4y2Ba_{年代gydF4y2Ba}也就是触发电路短路电流。现在，让曲线3给出门电路的VI特性。载重线(AD)与曲线3的交点称为工作点S，可见S一定位于S之间gydF4y2Ba_1gydF4y2Ba和SgydF4y2Ba_2gydF4y2Ba在载重线上。为减少开启时间，避免设备不必要的开启，操作点应尽量靠近PgydF4y2Ba_gavgydF4y2Ba越好。AD的斜率=源电阻RgydF4y2Ba_{年代gydF4y2Ba}。最小R值gydF4y2Ba_{年代gydF4y2Ba}可以通过画P的切线来确定吗gydF4y2Ba_gavgydF4y2Ba从A点开始雕刻。gydF4y2Ba