一种晶闸管是四层3界P-N-P-n半导体至少由三个组成的装置P-n结，用作高功率操作的电气开关。它具有三个基本端子，即阳极，阴极和安装在装置的半导体层上的栅极。符号图和确定的基本电路图晶闸管的特点如下图所示，
可控硅的V-I特性
从上面的电路图来看，我们可以看到阳极和阴极连接到电源电压通过负载。另一个二级供应eS.施加在栅极和阴极端之间，当开关S闭合时，阴极端提供正栅极电流。
提供供应我们得到所需的可控硅的V-I特性在下图中显示用于阴极电压V的阳极一种和阳极电流i一种我们可以从电路图中看到。对特征的详细研究表明，晶闸管具有三种基本的操作模式，即反向阻塞模式，正向阻塞（偏离状态）模式和正向传导（在状态）模式。在下面的细节中讨论，以了解整体晶闸管的特征。
晶闸管的反向阻挡模式
最初是为了晶闸管的反向阻挡模式，通过向阴极电源电压e提供电压E和栅极来使阴极与阳极相对于阳极进行正面。S.最初通过保持开关打开来分离。为了理解这种模式，我们应该研究第四象限，其中晶闸管是反向偏见的。
这里连接J1和J3.逆转偏见，而Junction J2正向偏压。这里的晶闸管的行为类似于两个二极管串联在一起并施加反向电压。结果只有很小的泄漏当前数μ安培的流量。
这是晶闸管的反向阻断模式或关断状态。如果反向电压现在增加，那么在一个特定的电压，称为临界击穿电压V布尔，雪崩发生在j1和J3.并且反向电流迅速增加。与v相关的大电流布尔在SCR中产生更多损失，导致加热。随着结温可能超过其允许温度升高，这可能导致晶闸管损坏。因此，应该确保最大的工作反向电压晶闸管不超过v布尔。当晶闸管上施加的反向电压小于V时布尔，该器件在反向方向上提供非常高的阻抗。因此，反向阻挡模式中的SCR可以被视为开路。
前向阻止模式
现在考虑到阳极相对于阴极是正的，栅极保持在打开状态。现在可控硅被称为正向偏压，如下图所示。
我们可以看到连接器J.1和J3.arenow向前偏见但结j2进入反向偏见的条件。在这种特定模式中，允许称为正向泄漏电流的小电流最初如图所示的晶闸管的特性所示。现在，如果我们继续增加正向偏置阳极到阴极电压。
在这种特殊模式中，晶闸管从阳极与阴极带有非常小的电流电压下降在它。通过超过正向击穿电压或在栅极和阴极之间施加栅脉冲，将晶闸管从正向阻塞模式引入到正向导通模式。在这种模式下，可控硅处于接通状态，并表现得像一个闭合的开关。在开启状态下，晶闸管上的压降是1到2 V的数量级，取决于超过某一点，然后是反向偏置结J2将有一个雪崩崩溃在称为正向断裂的电压下电压VB0.晶闸管。但是，如果我们保持低于v的正向电压博，我们可以从晶闸管的特点看，该装置提供高阻抗。因此，即使在这里，晶闸管也可以在前向阻塞模式下作为开口开关运行。
前进传导模式
当正负极正向电压增大时，随栅极电路开路，反向结J2将在前进突破副电压v valanche故障博导致晶闸管打开。一旦晶闸管打开，我们就可以从图表中看到晶闸管的特点，点M一次朝向n偏移，然后在n和k之间的任何位置。这里nk表示晶闸管的前向传导模式。在这种操作模式中，晶闸管通过最小电压降进行最大电流，这被称为正向导通导通或晶闸管的开启模式。
