硅控制整流器（克拉）是由硅制成的单向半导体器件。该装置是蜂鸣器的固态等同物，因此它也被称为晶闸管或者甲状腺晶体管。实际上，SCR（硅控制整流器）是通用电气公司晶闸管的商品名。基本上，克拉是由P型和N型材料的交替层组成的三端子，四层半导体器件。
因此它有三个pn结1，J.2和J.3.。下图显示了具有层P-N-P-N的SCR。该装置具有端子阳极（A），阴极（K）和栅极（G）。栅极端子（G）附接到更靠近阴极（K）终端的P层。
SCR或晶闸管的象征如下图所示。
SCR可以被认为是两个连接的晶体管，如下所示。
看来一个单一的克拉是一个pnp晶体管的组合（q1）和一个NPN晶体管（Q.2）。在这里，Q的发射器1作为Q的发射器的同时充当SCR的阳极端子2是它的阴极。此外，Q的基础1连接到Q的收集器2和Q的收藏家1连接到Q的基础2。SCR的栅极端子连接到Q的基部2， 也。
可以通过在以下模式下分析其行为来了解SCR的工作：
SCR的反向阻塞模式
在这种模式下，SCR通过将其阳极端子（A）连接到负端和阴极端子（k）到正端来反向偏置电池。这导致交联j的反向偏置1和J.3.，这反过来禁止通过设备流过电流，尽管Junction J.2仍然偏向偏见条件。
在这种状态下，SCR表现为典型二极管。在该反向偏置条件下，仅在反向偏置二极管的情况下仅在逆偏置二极管的情况下流过设备，这在通过蓝线的特性曲线中示出。该装置还表现出超出反向安全电压极限的反向击穿现象，就像二极管一样。
SCR的前向阻塞模式
这里，通过将阳极端子（a）连接到电池的负端子和阴极端子（k），将正偏置施加到SCR上，如下图所示。在这种情况下，结j1和J.3.在Junction J的同时前进偏见2得到反向偏见。
这里，除了下面的特性曲线中的蓝色曲线中的蓝色曲线所示，电流也不能通过晶闸管。
SCR的前向传导模式
可以使SCR进行
（i）通过增加阳极端子（a）处施加的正电压超过断裂电压，vB.或者
（ii）通过在栅极端子（g）处施加正电压，如下图所示。
在第一种情况下，施加的偏置的增加导致最初反向偏置的结j2在对应于前进突破的点处分解，VB.。这导致流过SCR的电流突然增加，如特征曲线中的粉红色曲线所示，尽管SCR的栅极端子保持不偏。
然而，通过在栅极端子处证明小正电压，SCR也可以在更小的电压电平下打开。通过考虑下图所示的SCR的晶体管等效电路，可以更好地理解这一点的原因。
在这里，可以看出，在栅极端子上施加正电压，晶体管Q2开关及其收集电流流入晶体管Q的基础1。这导致Q.1打开，反过来导致其收集器电流的流入Q的基础2。
这使得晶体管以非常快速的速率得到饱和，并且即使通过去除栅极终端处的偏置，也不能停止动作，提供电流通过克拉大于锁定电流的电流。这里，即使在移除栅极脉冲之后，锁存电流被定义为在导通状态下维护SCR所需的最小电流。
在这种状态下，据说SCR被锁存，并且除非通过在电路中使用外部阻抗，否则不会将电流限制通过设备。这需要一个令人诉诸自然换向等不同技术，强制换向或反向偏置关闭，闸门关闭以关闭导电的SCR。
基本上，所有这些技术旨在减小保持电流低于保持电流的阳极电流。保持电流被定义为在其导电模式下维护SCR的最小电流。
类似于关闭技术，还有不同的开启技术，用于SCR的SCR，如DC栅极信号触发，通过AC栅极信号触发并通过脉冲栅极信号触发，正电压触发，门触发，DV / DT触发，温度触发和光触发。
SCR器件VIZ有许多变化。，反向导电晶闸管（RCT），门关闭晶闸管（GTO），门辅助关闭晶闸管（GATT），不对称晶闸管，静电感应晶闸管（SITH），MOS控制晶闸管（MCT），光激活晶闸管（Lascr）等。通常SCR具有高开速，可以处理重电流。这使得晶闸管（SCR）非常适合许多应用程序
- 电源开关电路（适用于AC和DC）
- 零电压开关电路
- 过压保护电路
- 控制整流器
- 逆变器
- 交流电源控制（包括灯，电机等）
- 脉冲电路
- 电池充电调节器
- 锁定继电器
- 计算机逻辑电路
- 远程切换单元
- 相位角触发控制器
- 定时电路
- IC触发电路
- 焊接机控制
- 温度控制系统
