PIN光电二极管|雪崩光电二极管

PIN二极管

PIN光电二极管是一种光探测器，它可以将光信号转换为电信号。
这项技术是20世纪50年代发明的。在这种二极管中有三个区域。

有一个p区域，一个本征区域和一个n区域。p区和n区比通常的p区和n区掺杂较重pn二极管。本征区宽度应大于法线的空间电荷宽度pn结。

的PIN光敏二极管操作与应用反向偏压电压当施加反向偏压时，空间电荷区域必须完全覆盖本征区域。电子空穴对是通过光子吸收在空间电荷区产生的。频率响应的开关速度光电二极管与寿命成反比。

小的少数载波寿命可以提高开关速度。在响应速度很重要的光电探测器应用中，损耗区宽度应尽可能大，以适应较小的少数载流子寿命，从而提高开关速度。这是可以实现的PIN光电二极管随着本征区的插入，空间电荷宽度增大。下面给出了法向引脚光电二极管的结构图。

雪崩光电二极管

雪崩光电二极管(不要与一个雪崩二极管)是一种能将信号转换为电信号的光电探测器，是雪崩发展中的开创性研究工作二极管主要是在60年代做的。
雪崩光电二极管结构结构与PIN光电二极管非常相似。一个PIN光电二极管由三个区域组成-

1. p区,
2. 内在的地区,
3. n-region。

不同之处在于，施加反向偏压会非常大，从而引起撞击电离。对于硅作为sc材料，a二极管需要100到200伏电压。首先在耗竭区通过光子吸收产生电子-空穴对。它们通过碰撞电离产生更多的电子空穴对。这些粒子很快地从耗竭区扫出，也就是说，凌日时间非常短。