可控硅或可控硅的双晶体管模型gydF4y2Ba

可控硅的基本工作原理，很容易被人理解gydF4y2Ba可控硅双晶体管模型gydF4y2Ba，因为它是p层和n层的组合。gydF4y2Ba

这是一个pnpn晶闸管。如果我们用虚线将它平分，我们会得到两个晶体管，即一个带有J的pnp晶体管gydF4y2Ba_1gydF4y2Ba和JgydF4y2Ba_2gydF4y2Ba连接和另一个是JgydF4y2Ba_2gydF4y2Ba和JgydF4y2Ba_3.gydF4y2Ba如下图所示。gydF4y2Ba

集电极电流和发射极电流之间的关系如下所示gydF4y2Ba

在这里,我gydF4y2Ba_CgydF4y2Ba集电极电流是I吗gydF4y2Ba_EgydF4y2Ba发射极电流IgydF4y2Ba_{国会预算办公室gydF4y2Ba}正向漏电流α是共基正向电流增益与I之间的关系gydF4y2Ba_CgydF4y2Ba和我gydF4y2Ba_BgydF4y2Ba是gydF4y2Ba

我在哪里,gydF4y2Ba_BgydF4y2Bais基极电流和β是共发射极正向电流增益。gydF4y2Ba
对于晶体管TgydF4y2Ba_1gydF4y2Ba这个关系是gydF4y2Ba

对于晶体管TgydF4y2Ba_2gydF4y2Ba

现在，通过两个晶体管模型的分析，我们可以得到阳极电流，gydF4y2Ba

由式(i)和(ii)可得:gydF4y2Ba

如果外加门电流为IgydF4y2Ba_ggydF4y2Ba那么阴极电流就是阳极电流和栅极电流的总和。gydF4y2Ba

通过代入I的值gydF4y2Ba_kgydF4y2Ba在(iii)中，gydF4y2Ba

从这个关系我们可以保证，随着增加的价值gydF4y2Ba 趋于统一时，相应的阳极电流增大。现在的问题是如何做到gydF4y2Ba 增加?这里是使用的解释gydF4y2Ba可控硅双晶体管模型gydF4y2Ba。gydF4y2Ba
在第一阶段，当我们施加一个门电流IgydF4y2Ba_ggydF4y2Ba，它是T的基极电流gydF4y2Ba_2gydF4y2Ba晶体管也就是我gydF4y2Ba_B2gydF4y2Ba=我gydF4y2Ba_ggydF4y2Ba和发射极电流gydF4y2Ba_2gydF4y2Ba晶体管我gydF4y2Ba_E2gydF4y2Ba=我gydF4y2Ba_kgydF4y2Ba。因此，发射极电流的建立产生了αgydF4y2Ba_2gydF4y2Ba作为gydF4y2Ba

基极电流的存在会产生集电极电流gydF4y2Ba

这个我gydF4y2Ba_C2gydF4y2Ba只是基本电流I吗gydF4y2Ba_B1gydF4y2Ba晶体管TgydF4y2Ba_1gydF4y2Ba，这会引起集电极电流的流动，gydF4y2Ba

我gydF4y2Ba_C1gydF4y2Ba和我gydF4y2Ba_B1gydF4y2Ba导致增加gydF4y2Ba_C1gydF4y2Ba作为gydF4y2Ba 因此,αgydF4y2Ba_1gydF4y2Ba增加。现在，新的T基电流gydF4y2Ba_2gydF4y2Ba是gydF4y2Ba ，这将导致发射极电流增加gydF4y2Ba 结果是αgydF4y2Ba_2gydF4y2Ba也会增加，而且会进一步增加gydF4y2Ba 。gydF4y2Ba
作为gydF4y2Ba ,αgydF4y2Ba_1gydF4y2Ba再次增加。这种持续的正反馈效应增加了gydF4y2Ba 电流趋向于统一，阳极电流倾向于以一个非常大的值流动。电流的值只能由外部控制gydF4y2Ba电阻gydF4y2Ba的电路。gydF4y2Ba