晶体管可以以三种不同的方式配置，具体取决于输入和输出端口之间的公共端子是否为基础，收集器或发射器，并被命名为公共基础，公共收集器和公共发射器。Further, by choosing an appropriate biasing point, one may make the device suitable for either amplification or for switching i.e. the transistor circuits when made to operate between cut-off and saturation regions will be suitable to be used as switches while act as amplifiers when made to operate in their active region.
另外，据记取，晶体管本质上是无所作为的，而不是电流控制的装置，其中基座中的小变化当前， 一世B.导致收集器电流的大变化，iC。
图1显示了一种简单的常见发射器电路，它使用NPN晶体管谁的
- 收集器端子（输出端子）连接到电源电压V.CC.通过集电极电阻器C。
- 基站被提供有需要放大的AC信号。
- 发射极端接地（因此也称为接地发射器配置）。
在这种布置中，作为输入电压V.一世增加，基本电流iB.也增加了哪个意味着收集器电流iC。
这导致增加了电压下降跨集电阻器，rC这导致输出电压v降低0.正如以下关系强调
同样随着输入电压降低，IB.因此，我C减少，因为r的电压降C也降低了增加输出电压。这表明对于输入波形的正半周期，一个将被放大负半周期，而对于负输入脉冲，输出将是放大的正脉冲。因此存在180的相移O.在输入和输出波形之间公共发射器放大器它也被称为反相放大器。
然而，为了获得输入波形的未变形的放大版本，没有忠实放大，晶体管需要通过设定合适的操作点（Q点）正确地偏置。这表明实际上是一个必须诉诸稳定的网络（图2），这将抵抗温度和其他晶体管参数的变化。
在图2所示的电路中，电阻器R.1和R.2用于为晶体管的底座提供偏置（电压分压器晶体管偏置）发射极电阻器E.用于确保通过调节DC反馈的量来维持电路的适当的直流条件。此外，电路还采用电容器C.一世和cO.哪个是解耦电容器用于在放大器级之间提供交流耦合。这些的价值电容选择为使得它们在操作频率下提供可忽略的电抗。特别地，输入电容C的值一世应该选择等于抵抗性在最低频率下输入电路，使得它导致-3db处于此频率。此外，输出电容C的值O.选择使其等于以最低工作频率的电路电阻。
此外，发射极电压VE.选择为电源电压V的10％CC.确保直流稳定性的良好水平和电流通过r1这是我1被选为所需碱基电流的10倍。在这里应该指出，即使是我2将与基本电流I具有几乎相同的值B.将可以忽略不计。发射器旁路电容C.E.当添加到电路中时，通过短路发射极电阻r显着提高其增益E.对于高频信号，导致整体晶体管负载的降低。这个c的价值E.选择了电容器提供等于1/10的电抗值TH.R.E.处于最低工作频率。
已知公共发射器放大器的设计策略，一个有兴趣了解其当前的数学表达式和所提供的电压增益
这些常见的发射极放大器最广泛使用，例如，例如低噪声放大器和射频放大器，因为它们提供介质输入电阻，中等输出抵抗性，中电压增益，介质电流增益和高功率增益。
