晶体管偏置|电气4umabetx官网

晶体管是广泛使用的一种半导体用于广泛应用的器件，包括放大和开关。然而，为了圆满地实现这些功能，晶体管必须提供一定数量的当前的和/或电压。为晶体管电路设定这些条件的过程称为晶体管的偏置。这一目标可以通过产生不同类型的偏置电路的各种技术来实现。然而，所有这些电路都是基于提供适当数量的基极电流的原则_B并使集电极电流，I_C从供应电压, V_CC当输入端没有信号时。此外，集电极电阻R_C必须选择使集电极-发射极电压V_CE锗晶体管大于0.5V，硅晶体管大于1V。下面解释几个充足的偏置电路。

固定基极偏压或固定电阻偏压

图1所示的偏置电路有一个底座电阻器R_B连接在底座和V形底座之间_CC。在这里，晶体管的基极-发射极结是正向偏压的电压降在R_B哪个是I的结果_B流经它。由图可知，I的数学表达式_B获得的是

这是V的值_CC和V_是是固定的，而RB的值是恒定的，一旦电路设计。这导致I是一个常数值_B产生一个固定的工作点，因此电路被称为固定基极偏置。这种偏置，导致(β+1)的稳定系数导致非常差的热稳定性。这背后的原因是事实的β参数a晶体管是不可预测的，甚至在相同型号和类型的晶体管的情况下，也有很大程度的变化。β的这种变化导致I的巨大变化_C在建议的设计中，任何方法都无法补偿。由此可以得出结论，这种β依赖的偏压倾向于操作点的变化所带来的变化晶体管特性和温度。

然而，需要注意的是，固定基偏置是最简单的，并且使用较少的组件。此外，它还为用户提供了一个机会，只要改变R的值，就可以在活动区域的任何地方改变工作点_B在设计。此外，由于没有跨基极-发射极结的电阻，它在源上没有负载。由于这些因素，这种偏置被用于开关应用和实现晶体管的自动增益控制。这里是other的表达式电压和电流给出了作为

收集反馈偏差

在该电路中(图2)，基极电阻R_B穿过集电极和晶体管的基极连接。这意味着基极电压V_B集电极电压V_C是相互依存的，因为

在那里,
从这些方程可以看出，I_C减少V_C这导致了一个简化的I_B，自动减少I_C。这表明，对于这种偏置网络，q点(工作点)保持固定，无论负载电流的变化引起晶体管无论β值如何，始终处于其活动区域。此外，该电路也被称为自偏置负反馈电路，因为反馈是通过R从输出到输入_B。这种相对简单的偏置有一个稳定因素是小于(β+1)，这导致一个更好的稳定性时，固定偏置。然而，通过基极电流降低集电极电流的作用会导致放大器增益降低。
在这里,其他电压和电流表示为

双反馈偏差

图3显示了一个双反馈偏置网络，这是一个即兴在集电极反馈偏置电路，因为它有一个额外的电阻R₁这样就增加了电路的稳定性。这是因为增加通过基极电阻的电流会导致网络对β值的变化产生抵抗。

在这里,

固定偏压与发射极电阻

如图4所示，这个偏置电路只不过是一个固定的偏置网络，外加一个发射极电阻R_E。在这里,如果我_C由于温度的升高，I_E也会进一步增加电压降在R_E。这就导致了V的减少_C，引起I的减少_B这反过来又会带来我_C回到它的正常值。因此，与固定基偏置网络相比，这种偏置网络具有更好的稳定性。但是R_E降低放大器的电压增益，因为它导致不必要的交流反馈。在该电路中，给出了不同电压和电流的数学方程

发射器的偏见

这个偏置网络(图5)使用两个电源电压, V_CC和V_EE它们的极性相等但相反。这里V_EE正向偏置基极-发射极结通过R_E而V_CC反向偏置集电极-基极结。此外

在这种偏见下，我_C可以使β和V_是通过选择R_E> > R_B/β和V_EE> > V_是分别;从而得到一个稳定的工作点。

发射器反馈偏差

这种自发射极偏置(图6)采用了集电极-基极反馈和发射极反馈，以获得更高的稳定性。这是因为，在这里，发射极-基极结受到发射极电阻R上的压降的正向偏置_E由于发射极电流的流动，I_E。温度的升高使温度升高_C，引起发射极电流的增加_E。这也会导致电压降在R_E降低集电极电压V_C反过来我_B，从而带回I_C恢复到原来的价值。

然而，由于退行性反馈的存在，这导致了输出增益的降低，而退行性反馈只不过是一个不需要的交流反馈，其中的数量当前的通过反馈电阻是由集电极电压V的值决定的_C。这种效应可以通过在发射极电阻R上使用一个大的旁路电容来补偿_E。给出了这种低功率、低供压偏置网络中各种电压和电流对应的表达式

分压器的偏见

这种偏置网络(图7)采用了分压器形成的电阻R₁和R₂使晶体管偏置。这意味着电压在R上的变化₂它的基极电压是晶体管正向偏斜它的基极-发射极结。一般来说，电流通过R₂将固定为所需基电流的10倍，I_B(也就是我₂= 10我_B)。这样做是为了避免其对分压器电流或β变化的影响。进一步，从电路，一个人得到

在这种偏见下，我_C对β和V_是这导致稳定系数为1(理论上)，最大可能的热稳定性。这是因为，我_C由于温度升高而增大(也增大而引起发射极电压V的增大)_E从而降低基极-发射极电压V_是。这将导致基极电流I的减小_B恢复我_C恢复到原来的价值。尽管由于R的存在而降低了放大器的增益，但这种偏置电路所提供的较高的稳定性使其得到了最广泛的应用_E。
除了分析偏置网络的基本类型外，双极结型晶体管(BJTs)也可以使用有源网络或使用硅或稳压二极管。此外，还应注意到，虽然偏置电路的解释以下是，类似的偏倚网络也存在于场效应晶体管(场效应晶体管)。