内容
BJT是什么?
双极结晶体管（也称为BJT或BJT晶体管）是由两个P-N结组成的三端半导体器件，其能够放大或放大信号。它是一个当前的受控设备。BJT的三个端子是基础，收集器和发射器。BJT是一种类型晶体管它同时使用电子和空穴作为载流子。
当信号加到基极时，在晶体管的集电极处可以得到放大后的小振幅信号。这是BJT提供的放大效果。注意，它确实需要一个外部源直流电源进行扩增过程。
两种类型的双极连接晶体管 -NPN晶体管和PNP晶体管。下面给出了这两种类型的双极结晶体管的示意图。
从上图中，我们可以看到每个BJT有三个部分:发射器、基极和收集器。JE和JC分别表示发射极结和集电极结。首先，我们知道发射极基结是正向偏置的，而集电极-基结是反向偏置的就足够了。下一个主题将描述这两种类型的晶体管。
NPN双极结晶体管
在A.npn双极型晶体管(或NPN晶体管）一个p型半导体驻留在两个n型半导体之间，示出了n-p-n晶体管下面的图
现在我E， 一世C是发射极限和分别收集电流，v海尔哥哥和VCB分别为发射极-基极电压和集电极-基极电压。根据约定if为发射极、基极和集电极电流IE， 一世B和我C电流进入晶体管，当电流的符号被视为正，如果电流从晶体管熄灭，则标志被视为否定。我们可以制表不同的电流和电压在N-P-N晶体管内。
| 晶体管类型 | 我E | 我B | 我C | V海尔哥哥 | VCB | VCE |
| npn型 | - - - - - - | + | + | - - - - - - | + | + |
PNP双极结型晶体管
同样的P-N-P双极连接晶体管（或pnp型晶体管），n型半导体夹在两个p型半导体之间。P-N-P晶体管的图如下所示
对于p-n-p晶体管，电流通过发射极进入晶体管。像任何双极结晶体管一样，发射极-基极结是正向偏压的，而集电极-基极结是反向偏压的。我们还可以将p-n-p晶体管的发射极、基极和集电极电流以及发射极-基极、集电极-基极和集极-发射极电压制成表格。
| 晶体管类型 | 我E | 我B | 我C | V海尔哥哥 | VCB | VCE |
| p - n - p | + | - - - - - - | - - - - - - | + | - - - - - - | - - - - - - |
BJT工作原理
图中显示了有源区有偏置的npn晶体管晶体管的偏置， BE结是正向偏压的，而CB结是反向偏压的。BE结的耗尽区宽度与CB结相比较小。
BE结的正向偏压降低了势垒，导致电子从发射极流向基极。由于基极是薄的和轻度掺杂，它由很少的空穴组成，因此一些来自发射极的电子(约2%)与出现在基极区域的空穴复合，并流出基极终端。
这构成了基极电流，它的流动是由于电子和空穴的重组(注意，传统电流的流动方向与电子的流动方向相反)。剩余的大量电子将穿过反向偏置的集电极结，构成集电极电流。因此,氯化钾,
与发射器和集电极电流相比，基极电流非常小。
在这里，大多数电荷运营商.是电子。P-N-P晶体管的操作与N-P-N相同，唯一的区别是大多数电荷载波是孔而不是电子。由于大多数载波，由于BJT中的少数竞争载体，仅由于多数载波和大多数电流流动的小部分电流流动。因此，它们被称为少数民族承运人设备。
BJT的等效电路
P-n结由二极管表示。由于晶体管具有两个P-N结，它相当于连接回到后的两个二极管。这被称为两者二极管类似于BJT。
双极结晶体管特性
BJT的三个部分是集电极、发射极和基极。在了解双极结晶体管特性我们必须了解它的运作模式晶体管的类型。的模式
- 公共基础（CB）模式
- 共发射极(CE)模式
- CC (Common Collector)模式
下面显示了所有三种模式
现在来谈谈BJT的特点，不同的运行方式有不同的特点。特性只不过是晶体管的不同电流和电压变量之间关系的图形形式。给出了p-n-p晶体管在不同模式和不同参数下的特性。
公共基础特征
输入特征
对于P-N-P晶体管，输入电流是发射极电流（IE)，输入电压为集电极基极电压(VCB）。
由于发射极-基极结是正向偏置的，因此IE对V海尔哥哥与p-n二极管的正向特性相似。我E固定v的增加海尔哥哥当VCB增加。
输出特性
输出特性显示了输出电压和输出电流I之间的关系C输出电流、集电极-基极电压和发射极电流是I吗E输入电流并作为参数工作。下图显示了CB模式下的P-N-P晶体管的输出特性。
我们知道对于p-n-p晶体管IE和V海尔哥哥都是积极的C， 一世B，V.CB是负的。这是曲线中的三个区域，有源区域，饱和区域和截止区域。有源区域是晶体管正常工作的区域。
这里，发射器结是反向偏置的。现在饱和区域是向前偏置发射器集电极结合的区域。最后，切断区域是发射器和集电极结的区域是反向偏置的区域。
共发射极特点
输入特征
我B(基极电流)为输入电流V是(基极-发射极电压)是CE(共发射极)模式的输入电压。因此，CE模式的输入特性将是IB和V是与VCE作为参数。其特征如下所示
CE的典型输入特性与p-n二极管的正偏输入特性相似。但随着VCB增加基础宽度降低。
输出特性
CE模式的输出特性是收集器电流之间的曲线或图形（IC）和集电极 - 发射极电压（vCE)当基极电流IB是参数。该特性如下图所示。
同共基晶体管的输出特性一样，CE模式也有三个区域，分别为(i)有源区、(ii)截止区、(iii)饱和区。有源区具有集电极区反向偏置和发射极结正向偏置。
对于截止区域，发射极结是轻微的反向偏置，集电极电流不是完全截止的。最后，对于饱和区，集电极和发射极结都是正向偏压的。
BJTS的历史
1947年，J. Barden, W. Bratterin和W. Shockley发明了晶体管。晶体管这个术语是由约翰·r·皮尔斯提出的。虽然最初它被称为真空三极管的固态版本，晶体管这个术语仍然存在。在这篇文章中，我们所关心的晶体管是双极结型晶体管。
晶体管这个词源自“传输”和“电阻器它描述了BJT的操作，即输入信号从低电平传输抵抗性电路到高电阻电路。这种类型的晶体管由半导体。
晶体管用于构造集成电路(ICs)。集成电路中所能容纳的晶体管数量自发明以来迅速增加，大约每两年翻一番(被称为“晶体管数量”)摩尔定律）。
为什么这个叫做结型晶体管?答案就在建设的背后。我们已经知道什么是p型和n型半导体。
这些被称为PNP晶体管和npn型晶体管分别如上所述。现在，由于不同类型的半导体有两个连接，这称为结晶体管。它被称为双极，因为导致由于两个电子以及孔都会发生传导。
的应用是
BJT的使用是由于由于许多类型的可用性而设计的离散电路，并且显然是因为其高跨导和输出抵抗性这比MOSFET更好。BJT也适用于高频应用。
这就是为什么它们用于无线系统的射频。BJT的另一个应用可以表示为小信号放大器，金属邻近光电池等
双极结型晶体管放大器
了解的概念双极结型晶体管放大器，我们首先应该通过P-N-P晶体管的图表来看。
现在当输入电压改变一点，比方说δV我发射极-基极电压的变化通过δI改变栅高和发射极电流E。发射极电流的这种变化会产生一个电压降δVO跨负载电阻Rl，在哪里，
ΔVO给出放大器的输出电压。有一个负号是因为集电极电流在R上产生一个压降l极性与参考极性相反。电压增益AV对于放大器，给出了输出电压δV的比值O对输入电压δV我那么，
被称为晶体管的电流增益比。根据上图所示的图形，我们可以看出发射极电压的增加会降低发射极结处的正向偏压，从而降低收集电流。
这表示输出电压和输入电压是相的。最后，晶体管的功率增益Ap是输出功率和输入功率的比值
