Mosfets.展示viz的三个操作区域，截止，线性或欧姆和饱和度。其中，当MOSFET用作放大器时，需要在其欧姆区域中操作，其中通过器件的电流随着所施加的增加而增加电压。另一方面，当Mosfets.需要用作开关，它们应该以这样的方式偏置，使得它们在截止和饱和状态之间改变。这是因为，在截止区域，没有当前在饱和区域的同时流过设备，将有恒定量的电流流过设备，只需分别模仿打开和闭合开关的行为。MOSFET的这种功能在许多电子电路中被利用，因为与BJTS相比，它们提供更高的开关速率（双极结晶体管）。
图1显示了一种使用N沟道增强的简单电路MOSFET作为开关。这里的排水终端（d）Mosfet.连接到电源电压V.S.通过漏油电阻器R.D.虽然它的源端子接地。此外，它有一个输入电压V.一世在输出v的同时在其栅极端子（g）处O.从它的排水管中汲取。
现在考虑v的情况一世应用是0V，这意味着栅极终端Mosfet.是无偏见的。结果，MOSFET将关闭并在其截止区域中操作，其中它提供了使I的电流流动的高阻抗路径DS.几乎相当于零。结果，即使是电压下降在R.D.输出电压V的输出电压V将变为零O.将变得几乎等于vS.。
接下来，考虑输入电压V的情况一世施加大于阈值电压V.T.设备。在这种情况下，MOSFET将开始进行，如果VS.提供的大于夹紧电压VP.设备（通常它将是这样），然后MOSFET开始在其饱和区域中操作。这进一步意味着设备将提供低位抵抗性常量流动的路径DS.，几乎表现得像个短路。结果，输出电压将被拉到低电压电平，这将理想为零。
从讨论中提出的，很明显输出电压在V.之间改变S.和零取决于所提供的输入是否小于或大于vT.， 分别。因此，可以得出结论Mosfet.在截止和饱和操作区域之间运行时，可以使S作为电子开关的作用。
类似于N沟道增强型MOSFET的情况，即使是N沟道耗尽型MOSFET也可用于执行如图2所示的切换动作。这种电路的行为看起来几乎相同，除了事实上，用于截止，栅极电压VG需要做出负面，应该小于-VT.。
接下来，图3示出了P沟道增强的情况MOSFET用作开关。在这里，可以看出电源电压VS.在其源极端子端应用，并且栅极端子设置有输入电压V一世漏极端子通过漏极端子接地电阻器R.D.。此外，电路V的输出O.在r中获得D.，来自MOSFET的漏极端子。
在p型器件的情况下，导通电流将是由于孔，因此将从源流来流动漏极SD.，而不是从排水管到来源（iDS.）如n型器件的情况。现在，让我们假设输入电压除了门电压VGMOSFET变低了。这使得MOSFET打开并提供低（几乎可以忽略）抵抗性电流的路径。结果，重电流流过导致大量的装置电压下降穿过电阻器D.。这一即将出现的输出几乎等于电源电压V.S.。
接下来，考虑v的情况一世走高，即v我将大于设备的阈值电压（vT.这些设备将是负面的）。在这种情况下，Mosfet.将关闭并为电流提供高阻抗路径。这导致几乎零电流导致输出端子几乎零电压。
类似于这一点，即使是p沟道耗尽型MOSFET也可用于执行如图4所示的切换动作。该电路的工作几乎类似于上述解释的一个，除了这里的截止区域是截止区域的事实只有在v一世= V.G是积极的，使其超过阈值电压设备。
下面提出的表总结了上面提出的讨论。
