什么是光透明晶体管？
光透射师是三端（发射器，基站和收集器）或双终端（发射器和收集器）半导体具有光敏基座区域的器件。虽然是晶体管表现出光敏性，这些是专门设计和优化的照片应用。这些由扩散或离子植入制成，与普通晶体管相比具有更大的收集器和基区。这些装置可以是结构化或异质结的形式，如图1A和1B所示。
在同性全角光电晶体管的情况下，整个装置将由单一材料型制成;硅或锗。但是提高了效率，光透射师可以由非相同的材料（III-V材料等GaAs）的两侧制成PN结导致异性结设备。然而，与它们是经济的相比之下，更常用的同性全调装置更常用。
电路符号NPN PhotoLrantrantors图2示出，除了具有两个箭头的晶体管（有或没有基础引线），其指向基座的两个箭头表示其对光的敏感性。即使在PNP光电扫描器的情况下，类似的符号表示也保持良好，其中唯一的变化是发射器指向的箭头，而不是OUT。
光电校对人员如何工作？
光电扫描器的行为与正常的行为相同晶体管除了这里，由于入射光将经历基本电压带来的效果。这可以通过分析以下几点来更清楚
- 特征光透射师与普通晶体管类似，除了它们具有基础当前的用光强度取代。这意味着即使这些设备也有三个操作区域VIZ。，截止，主动和饱和度。这进一步意味着光电晶体管可用于切换（截止和饱和模式相关）应用或用于放大（有源模式操作），就像普通晶体管一样。
- 光电晶体管可以以两种不同的配置viz配置。，公共集电器和公共发射器，具体取决于输入和输出端子之间很常见的端子，类似于正常晶体管。
- 即使在没有灯的情况下，也使称为暗电流的小反向饱和电流，称为暗电流，即使在没有灯的情况下，其值随温度的值的增加而增加，与普通晶体管呈现的物质相同的特性。
- 如果如果崩溃，则光电晶体管易于损坏电压跨越集电极 - 发射极结的施加超出其击穿电压，就像在正常晶体管的情况下一样。
通常，在光电晶体电路的情况下，集电极端子将连接到电源电压，并且在发射极端子处获得输出，而基本终端（如果存在）将保持未连接。在这种情况下，如果使光落在光电晶体管的基部区域上，则它导致电子孔对的产生，其产生基本电流，除了应用电场的影响下，除了光电流。。这进一步导致发射极电流流过装置，导致扩增的过程。这是因为，这里，发育的光电流的大小将与亮度成比例，并将通过增益放大晶体管导致较大的收集器电流。
输出PhotoLro ansistor取决于不同的因素
- 入射光的波长
- 曝光的收集器碱基连接区域
- DC电流增益的晶体管。
此外，特定光电晶体管的特性可以表达其互联网
- 发光灵敏度定义为光电电流与入射光通量的比率
- 确定可以用作光电晶体管的灵敏度的最长波长的光谱响应是波长的函数
- 光电增益，表示其将光转换为放大电信号的效率
- 时间常数，影响其响应时间。
然而，重要的是要注意，响应的速度和光电晶体管增益彼此成反比地成反比，这意味着如果另一个增加，则一个人减少。
光电晶体管的优点
光电晶体管的优点包括：
- 简单，紧凑，便宜。
- 与光电二极管相比，较高的电流，更高的增益和更快的响应时间。
- 导致输出电压与光电电阻不同。
- 通过可见辐射对从紫外（UV）到红外（IR）的各种波长敏感。
- 对大量来源敏感，包括白炽灯，荧光灯泡，霓虹灯，激光，火焰和阳光。
- 高度可靠和时间稳定。
- 与雪崩光电二极管相比，较少的噪音。
- 适用于各种包装类型，包括环氧涂层，转印成型和表面安装。
光电晶体管的缺点
光电晶体管的缺点包括：
- 如果由硅制成，不能处理高电压。
- 容易发生电动尖峰和潮涌。
- 受电磁能量影响。
- 不允许电子管轻松流动。
- 由于大型基部收集器，高频响应差电容。
- 不能比光电二极管更好地检测低水平的光线。
光反射器的应用
光电晶体管的应用包括：
- 对象检测
- 编码器感应
- 自动电动控制系统，如光探测器
- 安全系统
- 打卡读卡器
- 中继
- 计算机逻辑电路
- 计数系统
- 烟雾探测器
- 激光测距查找设备
- 光学遥控器
- CD玩家
- 天文学
- 夜视系统
- 红外线接收器
- 打印机和复印机
- 摄像机作为快门控制器
- 水平比较器
