PNP晶体管:它是如何工作的?(符号及工作原理mabetx官网

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什么是PNP晶体管

PNP晶体管是a双极结型晶体管通过夹身构建n型半导体在两个p型半导体。PNP晶体管有三个端子-集电极(C)，发射极(E)和基极(B)晶体管像两个PN结二极管背靠背相连。

这些回到了回到pn结二极管被称为集电器基结和基极发射极结。

对于PNP晶体管的三个端子，发射极是一个通过基极向集电极提供载流子的区域。集电极区域收集大部分来自发射极的载流子。基极区触发并控制流经发射极至集电极的电流总量。

PNP晶体管的等效电路如下图所示。

PNP晶体管的构造与结构非常相似NPN型晶体管。在NPN晶体管中，1p型半导体用两个p型半导体夹着。在PNP晶体管中，一个n型半导体由两个p型半导体夹心。

PNP晶体管的结构如下图所示。

在p型半导体，大多数电荷载体是孔。因此，在PNP晶体管中，电流的形成是由于孔的运动。

中间层（n型层）称为基座端子（B）。左图型层用作发射极端子（e），右图型层用作收集器终端（c）。

与基碱（n型）层相比，发射器和收集器（p型）层非常掺杂。因此，两个连接处的耗尽区域更侧向基层渗透。与基层相比，发射器和集电极层的区域更加比较。

在n型半导体中，可以获得大量的自由电子。但是，中间层的宽度非常小，掺杂量很轻。所以在基极区域的自由电子明显较少。

PNP晶体管的符号如下图所示。箭头显示电流将通过发射器流到收集器。

A的正极端子电压源（V._海尔哥哥）与发射器（p型）连接，负端子与基站（n型）连接。因此，发射极限结在正向偏压中连接。

电压源的正极(V_CB.）与基站（n型）连接，负端子与集电极端子（P型）连接。因此，收集器基条连接在反向偏压中连接。

由于这种类型的偏置，发射极基结处的耗尽区是窄的，因为它在正向偏压中连接。虽然收集基部结处于反向偏见，因此收集器底部结处的耗尽区域宽。

发射极-基极结处于正向偏压。因此，大量的空穴从发射极穿过耗竭区进入基极。同时，很少有电子从基极进入发射极并与空穴复合。

发射极空穴的损失等于基层中存在的电子数。但是碱基中的电子数量非常少，因为它是一个很薄的掺杂区域。因此，几乎所有的发射极空穴都会穿过耗竭区进入基层。

由于孔的运动，电流将流过发射极基结。该电流称为发射极电流（I_E.）。孔是多数电荷载体，以流发射极电流。

剩下的空穴不会与电子在基部重新结合，这些空穴会进一步到达集电极。集电极电流(I_C)通过集电极-基区由于孔。

PNP晶体管的电路如下图所示。

如果我们将PNP晶体管的电路与NPN晶体管进行比较，那么这里的极性和电流方向是反转的。

如果PNP晶体管与电压源连接，如上图所示，则基电流将流过晶体管。少量碱基电流通过发射器通过发射器控制大量电流的流动，条件是基极电压比发射极电压更负。

如果基极电压不大于发射极电压，则电流不能通过器件。因此，有必要给出一个反向偏置大于0.7 V的电压源。

两个电阻R._L.和R_B.连接在电路中以限制通过晶体管的最大电流。

如果你申请Kirchhoff的现行法律（kcl），发射极电流是基本电流和集电极电流的求和。

$\ [i_e = i_b + i_c \]$

$I_C = I_E - I_B$

一般来说，当开关断开时，电流不能流动，表现为开路。同样，当开关接通时，电流就会流过电路，起闭合电路的作用。

晶体管只不过是一个可以像普通开关一样工作的电力电子开关。现在的问题是我们如何使用PNP晶体管作为开关?

正如我们在PNP晶体管的工作中所见，如果基极电压不比发射极电压不够负，则电流不能流过设备。因此，基准电压在反向偏压中最小为0.7V以传导晶体管。

这意味着，如果基极电压为零或小于0.7V，则电流不能流动并且它用作开路。

要打开晶体管，基准电压必须大于0.7 V.在这种情况下，晶体管用作紧密开关。

比较PNP晶体管和NPN晶体管时的主要区别总结在下表中: