晶体管特性

晶体管特性这些图代表了两者之间的关系吗当前的和电压的晶体管在一个特定的构型中。通过将晶体管配置电路看作类似于双端口网络，可以使用下列类型的特性曲线来分析它们

1. 输入特征:这些描述了输入电流的变化，该变化在保持输出电压恒定的输入电压的值中。
2. 输出特征:这是输入电流不变时输出电流和输出电压的关系图。
3. 当前的传输特点:这个特性曲线表示输出电流随输入电流的变化，保持输出电压不变。

晶体管的公共基础（CB）配置

在CB配置中，晶体管的基端将在输入和输出端子之间很常见，如图1所示。该配置提供低输入阻抗，高输出阻抗，高电阻增益和高压增益。

晶体管CB配置的输入特性

下面的图2显示了CB配置电路的输入特性，它描述了发射极电流的变化，i_E具有基极发射极电压，V_是保持收集器基电压，V_CB不变。

这就导致了输入电阻的表达式为

晶体管CB配置的输出特性

CB配置的输出特性（图3）显示了收集器电流的变化，I_C与V_CB当发射极电流，I_E是保持不变的。由图可知，输出电阻为:

晶体管CB结构的电流转移特性

下面的图4显示了CB配置的电流传输特性，其示出了I的变化_C与我_E保持V_CB是一个常数。由此产生的电流增益值小于1，可以用数学形式表示为:

晶体管的共同集电极(CC)配置

这种晶体管配置具有晶体管的输入和输出端子之间的共同集电极端子(图5)，也称为发射极跟随器配置。这提供了高输入阻抗，低输出阻抗，电压增益小于1和大电流增益。

晶体管CC配置的输入特性

图6显示了CC配置的输入特征，它描述了I的变化_B符合V_CB，对于集电极 - 发射极电压的恒定值，V_CE。

晶体管CC配置的输出特性

下面的图7显示了CC配置的输出特征，它显示了I中的变化_E反对V的变化_CE对于I的常数值_B。

晶体管CC配置的电流传递特性

CC配置的这一特征(图8)显示了I的变化_E和我_B保持V_CE是一个常数。

晶体管的常见发射器（CE）配置

在此配置中，如图9所示，发射极端子是输入端子和输出端子之间的共同端子。该配置提供介质输入阻抗、介质输出阻抗、介质电流增益和电压增益。

晶体管CE配置的输入特性

图10显示了晶体管的CE配置的输入特性，它说明了I的变化_B符合V_是当V_CE是保持不变的。

从上面图10所示的图形中，晶体管的输入电阻可以得到

晶体管CE配置的输出特性

CE配置的输出特性（图11）也称为收集器特性。这个曲线显示了我的变化_C随着V的变化_CE当我_B是保持不变的。由图可知，输出电阻为:

晶体管CE结构的电流转移特性

CE配置的这种特性显示了I的变化_C和我_B保持V_CE是一个常数。这可以用数学的方法给出

这个比值称为共发射极电流增益，并且总是大于1。

最后，应该注意的是，虽然解释的特征曲线是为了BJTS.，即使在……的情况下，类似的分析也适用场效应晶体管。