主要有两种晶体管的类型- - - - - -
- 结晶体管
- 点晶体管。
结型晶体管由于体积小，坚固耐用，所以主要采用结型晶体管。他们有两种类型- PNP和NPN型晶体管(图1)。
这些晶体管典型的制作方法有以下五种基本技术:
- 扩散技术
- 点接触技术
- 熔融或合金技术
- 生长速度或生长技术
- 外延技术
扩散技术
这种技术被用于制造平面晶体管。planar这个词意味着晶体管的制造是在几乎平坦的晶片平面上完成的。在这里;在含有p型气体杂质的炉内，将n型晶圆片加热至高温。因此杂质(p型)逐渐扩散到晶圆片表面(n型)。这样，p型区域就形成了，它是晶体管的基部。然后，该系统被一个带有孔(孔径)的掩模封闭，再一次用气体n型杂质加热。结果，n型原子通过空穴扩散，在p层上形成晶体管的发射体n层(图2)。
最后，在整个表面上显影了一层二氧化硅，并将照片冲压以为基础和发射器引线产生铝接触。
点接触技术
它由一个n型半导体晶圆片，其一侧焊接到金属底座，另一侧有钨弹簧或磷青铜，被称为猫须丝，它是硬压在它。整个布局被封装在一个玻璃或陶瓷外壳内。这样做是为了保证机械强度。一个巨大的当前的（200 ma）通过1-100毫秒的范围来创造PN结．由于晶须材料的扩散和硅表面在接触点的表面熔化，在那里产生了PN结(图3)电容在点接触结处，这些连接点对于高频工作非常有助于（10 GHz）。
熔融或合金技术
在这种方法中，在n型晶圆的另一侧放置两个铟或铝(受体)小点。然后将整个系统加热到小于晶片材料熔点而大于受体熔点的温度。
有一小部分铟溶解并进入晶圆片，因此在晶圆片的两侧形成p型材料。PNP晶体管是在冷却时产生的(图4)。
生长速度或生长技术
在这种技术中，单晶是从含有p型杂质的锗或硅熔体中提取的。Czochralski技术或浮动技术用于此目的。在Czochralski技巧中，一个半导体种子浸没在熔化的半导体石墨坩埚中。在那之后，它会慢慢地抽出来，那时，抱着种子的棒子会逐渐旋转。首先加入p型杂质，然后变为n型。因此,PN结种植。所使用的仪器如下所示。
外延技术
这个名字来自希腊单词“epi”和“taxis”——“epi”的意思是“on”，“taxis”的意思是“arrangement”。这里，很瘦n型半导体或者p型半导体层可以生长在具有相同半导体的高掺杂材料(衬底)上(图6)。形成的层可以是三种(基极、发射极或集电极)中的任何一种。这样产生的结具有较低的能量电阻．
