基于晶体管结构的分类
点接触晶体管
这些是基于困难且不可靠的电气成型过程的基础工作的非常第一的锗晶体管，导致它们经常失败。此外，他们有一个共同的基础当前增益α大于1并表现为负面抵抗性。
双极结晶体管（BJT）
BJTS.是晶体管具有三个终端（发射极，基座和收集器），因此具有双交叉，基极交界处和集电极基结。这些是电流控制的装置，其传导电流依赖于多数以及少数股票载体（因此双极）。
此外，这些可以是（i）NPN晶体管对于多个电荷载流子作为电子或（ii）PNP晶体管，具有多数电荷载体作为孔，这取决于其掺杂性质。除此之外，发现了许多其他类型的BJT
异质结双极晶体管：
这些适用于高频应用，并具有由不同的半导体材料制成的发射器和基区。
肖特基晶体管或肖特基夹紧晶体管：
这些设备使用肖特基屏障来避免晶体管饱和。
雪崩晶体管：
达林顿晶体管：
这是两个单独的晶体管级联的晶体管，其结果器件具有非常高的电流增益。
多个发射极晶体管：
这个种晶体管专门设计用于实现NAND逻辑操作。
多个基础晶体管：
它用于放大噪声环境中存在的极低电平信号，方法是对信号进行建设性的添加，而对随机噪声进行随机添加。
扩散晶体管：
它们通过将半导体材料与必要的掺杂剂扩散而形成。
场效应晶体管（FET）
这些是电压控制晶体管，其是三端子，其中栅极端子控制流动当前在源极和漏极端子之间。这些也被称为单极器件，因为它们的导电电流仅仅是由于大多数载流子，根据它们可以是n通道(大多数载流子是电子)fet或p通道(大多数载流子是空穴)fet。此外,FETS.可以被归类为
结FET（JFETS）：
JFETS.可以取决于它们是否具有PN或肖特基势垒连接点的PN JFET或金属半导体FET（MESFET）。
金属氧化物半导体FET（MOSFET）或绝缘栅FET（IGFET）：
这些装置在其栅极端子下方具有绝缘层，其导致非常高的输入阻抗。根据是否具有预先存在的频道，这些可以是耗尽 - 或增强模式的一种，这可以是在存在和不存在栅极电压的情况下影响其行为的预先存在的渠道。
双栅极MOSFET（DGMOSFET）：
这些在射频应用中特别有用，并且有两个串行门控制。
高电子迁移率晶体管（HEMT）或异质结构FET（HFET）：
它们的特征在于存在杂连接，其在结合的两侧包括不同的材料，并且用于非常高的微波频率应用。这些装置的其他变化包括变质HEMT，假形象HEMT（PHEMT），诱导的HEMT，异质结构绝缘栅FET（HIGFET）和调制掺杂FET（MODFET）。
Finfets：
这些是双栅极晶体管，其有效通道宽度由形成装置主体的薄硅'翅片决定。
垂直MOS（VMO）：
该设备在结构上类似于MOS设备，除了它们在其中具有V形沟，增加了它们的复杂性和成本。
Umos FET：
这些是基于沟槽结构的FET，除了它们具有“U'形槽而不是”V'形凹槽“之外，几乎类似于VMOS。
TrenchMOS:
基于该技术的FET分别具有垂直结构，分别具有源极和顶部和底部的漏极端子。
金属氮化物氧化物半导体（MNO）：
这种晶体管是MOS技术的附加器件，使用氮化物氧化物作为绝缘层。
快速反向或快速恢复外延二极管FET（FREDFET）：
这些是超快速的FET，具有用于体二极管的快速关闭能力。
耗尽FET（DEPFET）：
这些FET形成在完全耗尽的基材上。
隧道FET（TFET）：
这些研究了量子隧道原理，广泛用于低能量电子器件，包括数字电路。
离子敏感FET（ISFET）：
该FET使用溶液中的离子浓度来调节当前流过它。这些装置广泛用于生物医学和环境监测领域。
生物敏感FET（BIOFET）：
在这些FET中，与栅极端子结合的生物分子改变其电荷分布并改变通道电导。这些设备之间存在许多变化，如enFet，免疫功能，Genfet，DNAFET，CPFET，BEETLEFET等。
纳米有机记忆FET (NOMFET):
这种场效应晶体管模拟神经元间信号传输的行为，应用于人工智能领域。
有机FET（OFETS）：
这些FET具有基于薄膜晶体管概念的结构，并使用有机半导体进行通道。这些广泛用于可生物降解电子产品领域。
六角困境：
这些是具有它们的模具区域的FET，其由六角形的基本单元组成，其在增加沟道密度的同时降低模具尺寸。
碳纳米管FET（CNTFET）：
该FET包括由碳纳米管（单个或阵列）制成的通道而不是散装硅。
石墨烯纳米带FET:
这些FET使用石墨烯纳米为其通道的材料。
垂直狭缝FET（VESFET）：
这些是具有垂直硅狭缝的双栅FET，除了两个较大的硅区域之间的硅的窄通道。
量子FET（QFETS）：
这些晶体管的特征在于一种非常高的操作速度和对量子隧道原理的工作。
倒置式FET（ITFET）：
这些具有从水平面垂直延伸的装置的一部分。
薄膜过电镜头（TFT）：
弹道晶体管：
这些用于高速集成电路和使用电磁力。
电解质氧化物半导体FET（EOSFET）：
这些都有金属部分标准Mosfets.由电解质溶液代替，用于检测神经元活动。
基于其功能的分类
小信号晶体管：
这些类型的晶体管尤其用于放大低电平信号（很少用于切换），并且可以是NPN或PNP本质上。
小型开关晶体管：
这些广泛用于切换目的，尽管它们可以用于扩增过程。这些晶体管可用于NPN和PNP形式。
功率晶体管：
它们用作高功率应用中的功率放大器，可以是NPN或PNP或Darlington晶体管。
高频晶体管:
这些也称为RF晶体管，并且用于高速开关装置，其中小信号在高频下操作。
光晶体管：
这些是两个端子光敏器件，只不过是具有光敏区域的标准晶体管作为基础区域的替代。
UNIICenction晶体管：
这些晶体管专门用作开关并且不适合放大。
生物医学和环境晶体管：
这些应用于生物医学和环境传感领域。
除此之外，还存在绝缘栅双极晶体管（IGBT），其组合两个BJT的特征以及FET，因为它使用绝缘栅极来控制作为开关的双极功率晶体管。还存在包括两个称为单电子晶体管（组）的栅极控制岛的两个隧道连接。
像结纳米线晶体管（JNT）的某些晶体管甚至缺乏栅极连接的存在，导致更密集和更便宜的微芯片。最后，应该注意的是，这些只是市场上存在的充足类型中的可数晶体管类型。
