结型场效应晶体管(jfet)是一种fet(高输入阻抗器件)，它有三个端子，即源(S)、门(G)和漏(D)。这些器件也被称为电压控制器件电压施加在栅极端子上的电流决定了流过漏极和源极端子之间的电流量。fet既可以由pn结组成，也可以由肖特基结组成，因此它们分别被称为pn jfet或金属半导体fet (mesfet)。此外，pn jfet可以分为两种类型，即(i)n沟道JFET和(2)p沟道JFET，这取决于是否当前的流动分别是由于电子或孔。
n沟道JFET
N沟道JFET的示意图以及其电路符号如图1所示。从图1A所示的分层结构中，显然N沟道JFET具有其主要部分n型半导体。来自源极和漏极端子的该散装材料的相互相对的两个面。此外，还可以看出，嵌入到该基板中存在两个相对较小的P底座，该基板在内部连接在一起以形成栅极端子。因此，这里，源极和漏极端子是n型，而栅极是p型。由于这个，两个pn结将形成在设备内，其分析揭示了JFET的工作模式。此外，图1b所示的电路符号有一个箭头指向器件的门端子，这表明电流将流向，提供pn结是正向偏置的。
n通道JFET的工作
在n通道JFET中，由于源极和漏极之间形成的通道是n型的，所以载流子主要是电子。此外，这些器件的工作取决于施加在其端子上的电压(图2)。
案例我：考虑这样的情况:没有电压也就是VDS= 0和vGS.= 0。在这个状态下，设备将是空闲的，没有当前的也就是IDS= 0。
案例二:现在考虑设备的漏极连接电池的正极，而负极连接电源，即VDS= + ve。但是，让栅极终端保持无偏态，即VGS.= 0.在该瞬间，器件的N基板内的电子开始朝向漏极移动被施加的积极的力电池。同时，当电源连接到负端子时，电子也将从源中排斥。这导致从漏极到源极（根据传统方向的电流的净流动，其值仅受通道提供给它的电阻。
此外，可以看到VDS以初始状态提高流过设备的电流，该初始状态可以被称为JFET的欧姆区域。但是，要注意到V的增加DS也会导致pn结周围耗竭区宽度的增加。这种转换导致通道宽度减少，从而增加了它的电阻。这种现象会持续下去，直到两个耗竭区增长到几乎彼此接触的程度，这种情况被称为掐断。V对应的值DS被称为截断电压，VP。然而，即使在这种情况下，器件内仍存在一个具有高电流密度的狭窄通道，因此IDS将饱和到I级DSS.如图2所示。正是这种行为JFET.这导致它表现为恒定电流源。
案例III：接下来，对于案例II中描述的设置，让我们添加电压源在门极终端，使门极为负的w.r.t源，即VGS.= -ve而VDS是+ ve。在这种情况下，设备的行为非常类似于在案例II中的方式，但对于较低的V值DS。这意味着掐断和饱和发生得相当早，并由施加在栅极上的负电位决定，即V更负GS.，早些时候捏关，因为之前将是饱和度，还原我DSS.(图3)。
随着这种现象的继续，可以看到出现了一种情况，即漏源到源极电流I的饱和电平恰好为0 mA。这意味着没有当前的当电流流过这个装置时，这个装置就会关闭DS发生这种情况，这将是只不过是负捏 - 关闭电压.VDS= - vP。
p沟道JFET
的p沟道JFET(图4a)显示的工作模式与它的对应部分，即n沟道JFET除了几个差异。如果是p沟道JFET，由装置制成的主要部分由p型制成，嵌入到两个小n型区域。因此它具有n型栅极端子和p型源和漏极，使通道成为p型，其中孔将是大多数电荷运营商.。接下来，电路符号中的箭头方向是向外的，这与n通道jfet的情况不同(图4b)。
p通道JFET的工作
类似于N沟道JFET的情况，这些器件的工作也取决于电压在其终端应用（图5）。
案例我：如果VDS= 0和vGS.= 0时，设备将处于空闲状态，没有电流，即IDS= 0。
案例二:现在考虑V.DSv v vGS.在这种状态下，当P衬底内的孔在从源中排斥时，电流从源流到漏极（根据传统方向）流向漏极（根据常规方向）。该电流的值仅受通道电阻限制，并且被视为随着V的减少而增加DS（欧姆地区）。然而，一旦发生捏（vDS= VP),当前的我DS在特定的一级饱和DSS.，在此期间，该设备类似于恒定电流源（图6）。
案例III：接下来,让VGS.= + v v vDS是负的。在这种情况下，所表现出的效果与情况II相似，即饱和发生的速度比V更快GS.变得越来越积极。类似于在n沟道jfet，即使在这里，电流也以V的值停止流动DS变得等于vP，将设备设置为关闭状态。
