如今，SCR可提供高达10 kV和3 ka的额定值。但有时我们面临需求，超过这些评级。在这种情况下，使用多于一个SCR的组合。SCR系列连接满足高电压需求和SCR的并行连接满足高当前需求。这些系列和并联连接克拉或者如果所有SCR都充分利用，则晶闸管将有效地工作。虽然字符串中的所有SCR具有相同的评级，但它们的V-I特性彼此不同。这导致它们之间的低电压或电流分裂。因此，每个SCR都没有充分利用。因此，根据给定的表达式，字符串的效率始终小于100％
随着每个SCR处理的弦电压或电流中的SCR的数量，最小化。这种现象增加了串的可靠性，但减少了每个SCR的利用率。因此，弦效率降低。串的可靠性是通过通过表达给出的因子（DRF）来测量的
SCR系列操作
当运营时电压大于一个可控硅的额定功率，多个相同额定功率的可控硅串联使用。由于可控硅具有相同的额定电压，可能有不同的I-V特性，所以必然会发生不平等的电压分割。例如，如果两个SCR系列这能够单独阻止5kV，然后串应块10kV。但实际上这不会发生这种情况。这可以通过帮助验证这一点。让两个SCR的特征如图2所示。1。
所以我们可以从图中看到，对于相同的漏电流，发生不平等的电压划分。跨越SCR的电压1是V1但是，在scr上2是V2。V.2远低于v1。所以,可控硅2没有得到充分利用。因此字符串可以阻塞V1+ V.2= 8 kV，而不是10 kV，弦效率由= 80％给出。
提高效率a电阻器与每个可控硅并行使用。这些的价值抵制使得每个SCR和电阻对的等同电阻将是相同的。因此，这将确保在每个SCR上进行平等的电压分割。但在实际不同的电阻等级中是非常难以使用的。因此，我们选择了一个抵抗的价值以获得最佳结果
其中，n =否。字符串中的scr
V.BM.=由SCR阻挡的电压，具有最小漏电流。
ΔI.B.=流过可控硅的最大和最小泄漏电流之差。
V.S.=串间电压。
该电阻B称为静态均衡电路。但这种阻力不足以在接通和关闭期间均衡电压分割并关闭。在这些瞬态条件下，以维持各个设备的相同卷电容器一起使用电阻器与每个可控硅平行。这就是所谓的动态均衡电路的缓冲电路。另外还可以增加一个二极管来改善动态均衡电路的性能。
SCR的并行操作
当工作电流超过SCR的各个电流额定值时，我们并行使用多个SCR。由于不同的V-I特性SCR的额定值在字符串中共享不等电流。让一个字符串由两个组成晶体管并行，如图2所示。1及其目前的评级1 ka。从V-I的V-I特性可以看出，对于操作体积V，电流通过SCR1是1 ka，通过scr2是0.8 ka。因此，SCR.2这里没有充分利用。虽然这些字符串理论上应该承受R卡，但它只能处理1.8 ka。因此，字符串效率= 90％。
由于当前划分时不平等克拉升高，它的温度也升高，这反过来又降低抵抗性。因此，发生的进一步增加，这是一个累积过程。这被称为热'逃离'，可以损坏设备。为了克服这个问题，SCR将保持在相同的温度。通过将它们安装在相同的散热器上可以实现这一点。它们应该安装在对称位置通量。
设备的连接将是相同的。所以互感设备的数量是一样的。这将通过每个设备提供相同的电抗。从而减少通过器件的电流电平差。另一种在交流电路中均衡电流划分的方法是使用磁耦合抗，如图- 2所示。
当我1= I.2然后，由于两个线圈连接在防并联的情况下，导致磁通量为零。所以电感这两条路径的。如果我1>我2然后将有一个结果的助焊剂。该助焊剂在Cols中引起EMF。如图1和2所示。因此，路径1中的电流相对，并且在路径2中，它由诱导的EMF辅助。从而减少了路径中的电流差异。
